Материаловедение полупроводников

Развитие полупроводниковой опто- и микроэлектроники привело к широкому использованию полупроводниковых соединений. Взаимодействие различных соединений друг с другом приводит к образованию твердых растворов, что дает возможность путем изменения состава раствора получать материалы с наперед заданными свойствами.

Расчеты процессов кристаллизации легированных монокристаллов полупроводников основываются на знании элемента между твердой и жидкой фазами, который непосредственно вытекает из диаграммы состояния полупроводник-легирующий элемент [1, 7, 8]. При этом нужно исходить из того, что коэффициент распределения является таким параметром, анализ которого позволит установить физико-химическую природу взаимодействия между компонентами [8, 9].

Довольно сложно решается задача воспроизводимого легирования полупроводниковых соединений с целью получения кристаллов с необходимыми свойствами. Это связано с тем, что сами задаваемые свойства варьируются в очень широких пределах и при этом, как правило, необходимо выращивать такие кристаллы с определенным сочетанием различных свойств (например, оптических и электрофизических) с учетом высокой однородности распределения последних в объеме. Более того, многие примеси в полупроводниковых соединениях обнаруживают довольно сложное поведение, а, следовательно, правильный выбор оптимальной легирующей добавки зависит в этом случае от результатов предварительных исследований влияние примесей на электрофизические и оптические свойства таких кристаллов [10].

Изменение химического состава по-разному влияет на свойства в зависимости от того, какими изменениями в фазовом составе оно сопровождается. Следовательно, важно не только знать какие фазы образуются при взаимодействии элементов, но и уметь прогнозировать фазовый состав и пути воздействия на него. При внешнем воздействии можно получить фазовые состояния с различной степенью отклонения от равновесного, что дает дополнительные возможности для управления свойствами [11].

Точечные дефекты, дислокации, дефекты упаковки и другие нарушения структуры, управляют процессами диффузии, а также влияют на электрические, тепловые и другие свойства кристаллов. Без достаточно глубокого понимания дефектов кристаллической структуры и знания процессов их влияния на свойства полупроводниковых материалов невозможно использование полезных свойств таких кристаллов и тем более получение кристаллов с наперед заданными свойствами [12]. К настоящему времени в изучении дефектов накоплен большой материал, причем их изучение позволило не только выявить целый ряд новых, ранее не известных явлений, но и выработать рекомендации по управлению свойствами полупроводниковых материалов.

Подводя итоги сказанному выше можно заключить, что материаловедение полупроводников - это научная дисциплина, изучающая закономерности образования металлических и полупроводниковых фаз (элементарных веществ, растворов, соединений, сплавов), в равновесных и неравновесных условиях, влияние химического и фазового состава, атомной структуры и структурных дефектов фаз на свойства материалов, а также разрабатывающая научные и практические пути воздействия на их фазовый состав, структуру и физико-химические свойства.

Другое по теме

Питание как важнейшая потребность человека
Эта работа создана с целью ознакомления читателя с основными моментами проблемы питания как важнейшего процесса, обеспечивающего существование всего живого на Земле, в том числе Homo Sapiens. В доступной и популярной форме излагаются важнейшие сведения о питательных веществах, их элементарной классификации и их физиолог ...

Структурные уровни организации материи
Развитие - это необратимое, направленное, закономерное изменение материи и сознания, их универсальное свойство; в результате развития возникает новое качественное состояние объекта - его состава или структуры. Развитие - всеобщий принцип объяснения природы, общества и познания, как исторически протекающих событий. Р ...